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Silikon-Karbid-Kristall

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China JDZJ01-001-006 SiC-Samenkristall S-Klasse 6

JDZJ01-001-006 SiC-Samenkristall S-Klasse 6" Φ153±0,5 mm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:6" SiC-Samenkristall, S-Klasse SiC-Samenkristall, φ153±0, 5 mm SiC-Samenkristall
Sic Grad 6" des Impfkristalls S s-Grad φ153±0.5mm Kann einer Spannungssteigung (oder elektrischem Feld) über achtmal größer als als Si oder GaAs sic widerstehen, ohne Lawinenzusammenbruch durchzumachen. Dieses elektrische Feld des hohen Zusammenbruches ermöglicht der Herstellung von sehr Hochsp... Mehr sehen
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China Sic Kristall 4

Sic Kristall 4" des Barren-JDZJ01-001-002 d-Grad

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:4” SiC Ingot Crystal, D Grade SiC Ingot Crystal
Sic Barren Kristall4" p-Grad Sic können Geräte an den Kurzwellen (Rf und Mikrowelle) wegen der hohen gesättigten ElektronDriftgeschwindigkeit von sic funktionieren. Ist sic ein ausgezeichneter Wärmeleiter. Hitze fließt bereitwillig sic als andere Halbleitermaterialien durch. Tatsächlich bei Z... Mehr sehen
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China JDZJ01-001-004 SiC-Ingot-Kristall 6

JDZJ01-001-004 SiC-Ingot-Kristall 6" P-Klasse

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:P grade SiC Ingot Crystal, 6” SiC Ingot Crystal
SiC-Barrenkristall 6" Pgrade   Siliciumcarbid, äußerst harte, synthetisch hergestellte kristalline Verbindung aus Silicium und Kohlenstoff.Seine chemische Formel ist SiC.Seit dem späten 19. Jahrhundert ist Siliziumkarbid ein wichtiger Werkstoff für Schleifpapiere, Schleifscheiben und Schneidwerkze... Mehr sehen
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China Sic JDZJ01-001-005 Impfkristall S ordnen 6

Sic JDZJ01-001-005 Impfkristall S ordnen 6" s-Grad φ153±0.5mm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:S Grade SiC Seed Crystal, φ153±0.5mm SiC Seed Crystal, 6” SiC Seed Crystal
Sic Grad 6" des Impfkristalls S s-Grad φ153±0.5mm Ist sic ein ausgezeichneter Wärmeleiter. Hitze fließt bereitwillig sic als andere Halbleitermaterialien durch. Tatsächlich bei Zimmertemperatur hat sic eine höhere Wärmeleitfähigkeit als jedes mögliches Metall. Dieses Eigentum ermöglicht sic Ger... Mehr sehen
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China JDZJ01-001-007 Siliziumkarbid-Impfkristall zu verkaufen

JDZJ01-001-007 Siliziumkarbid-Impfkristall

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:Silicon Carbide Seed Crystal
Karbid-Impfkristall des Silikon-JDZJ01-001-007 Elektronische Geräte bildeten sich in sic können an den hohen Temperaturen extrem funktionieren, ohne unter Eigenleitungseffekten zu leiden weil von der breiten Energiebandlücke. Auch dieses Eigentum darf sic kurzwelliges Licht ausstrahlen und ermi... Mehr sehen
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China JDZJ01-001-008 4 & 6 Zoll SiC-Impfkristall zu verkaufen

JDZJ01-001-008 4 & 6 Zoll SiC-Impfkristall

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:6inch SiC Seed Crystal
JDZJ01-001-008 4 & 6 Zoll SiC-Impfkristall   Die physikalischen und elektronischen Eigenschaften von SiC machen es zum führenden Halbleitermaterial für kurzwellige optoelektronische, hochtemperaturbeständige, strahlungsbeständige und elektronische Hochleistungs-/Hochfrequenzgeräte.   SiC kan... Mehr sehen
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China 100.0mm Silicon Carbide Crystal 4

100.0mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade Politype 4H

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:Silicon Carbide Crystal P Grade, single crystal silicon carbide, Silicon Carbide Crystal 4H
100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 4.0°±0.2° Politype 4H SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric field enables the fabricati... Mehr sehen
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China 4

4" P Grade Siliziumkarbid-Kristallwiderstand 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:P Grade Silicon Carbide Crystal, crystalline silicon carbide 0.028ohm.Cm, 4" Silicon Carbide Crystal
4" P Grade SiC Seed Crystal Resistivity 0.015~0.028ohm.Cm 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC is an excellent thermal conductor. Heat will flow more readily through SiC than other semiconductor materials. In fact, at room temperature, SiC has a higher thermal conductivity than any ... Mehr sehen
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China 4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4

4H Politype Single Crystal Silicon Carbide 4" P Grade Si Face

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:single crystal silicon carbide 4", N type crystalline silicon carbide, single crystal silicon carbide Si face
JDZJ01-001-001 SiC Seed Crystal 4" P Grade Si-Face 90°Cw.From Primary Flat±5° SiC Seed Crystal 4" PGrade The physical and electronic properties of SiC make it the foremost semiconductor material for short wavelength optoelectronic, high temperature, radiation resistant, and high- power/hig... Mehr sehen
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China 100.0mm Silicon Carbide Crystal 4

100.0mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade 18.0mm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:100.0mm Silicon Carbide Crystal, single crystal sic 4", Silicon Carbide Crystal 18.0mm
100.0mm±0.5mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 0.015~0.028ohm.cm 18.0mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" PGrade Electronic devices formed in SiC can operate at extremely high temperatures without suffering from intrinsic conduction effects becauseof the wide energy bandgap. Also, this property allows ... Mehr sehen
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China 0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N zu verkaufen

0,015 Ohm.cm bis 0,028 Ohm.cm Siliziumkarbidkristall Typ N

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:0.015ohm.cm Silicon Carbide Crystal, N Type sic crystal, Silicon Carbide Crystal 32.5mm
0.015~0.028ohm.Cm SiC Seed Crystal 4" P Grade N-Type Orientation 4.0°±0.2° SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC CRYSTAL is an ultra-high purity silicon carbide grain or powder, specially manufactured to achieve extremely low levels of impurities. It is used to measure the impurities within SiC C... Mehr sehen
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China Primary Flat Lengh 32.5mm Silicon Carbide Crystal 4

Primary Flat Lengh 32.5mm Silicon Carbide Crystal 4" P Grade 100.0mm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Markieren:32.5mm Silicon Carbide Crystal, SiC Seed Crystal 100.0mm, Silicon Carbide Crystal 4"
Primary Flat Lengh 32.5mm±2.0mm SiC Seed Crystal 4" P Grade 100.0mm±0.5mm 0.015~0.028ohm.cm SiC Seed Crystal 4" PGrade SiC can withstand a voltage gradient (or electric field) over eight times greater than than Si or GaAs without undergoing avalanche breakdown. This high breakdown electric... Mehr sehen
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