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Sic Epitaxial- Oblate

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China 4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Widerstand≥1E5Ω·cm Für die Mikrowelle zu verkaufen

4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Widerstand≥1E5Ω·cm Für die Mikrowelle

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:4H-SiC-Substrat auf P-Ebene, Mikrowellen 4H-SiC-Substrat, 4 Zoll 4H-SiC Substrat
JDCD03-002-002 4inch 4H-SiC Substrat P Niveau SI 500.0±25.0μm MPD≤5/cm2 Resistivity≥1E5Ω·cm für Energie- und Mikrowellengeräte Überblick Sic wird für die Herstellung von sehr Hochspannungs- und starken Geräten wie Dioden, Leistungstransistoren und Mikrowellengeräten der hohen Leistung ver... Mehr sehen
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China 4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Widerstand≥1E9Ω·Cm Für die Mikrowelle zu verkaufen

4 Zoll 4H-SiC Substrat P-Level SI 500.0±25.0μM MPD≤0.3/Cm2 Widerstand≥1E9Ω·Cm Für die Mikrowelle

Preis: Negotiable
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Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Mikrowellen 4H-SiC-Substrat, 4 Zoll 4H-SiC Substrat, 4H-SiC Substrat P-Spiegel
JDCD03-002-001 4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level SI 500,0 ± 25,0 μm MPD ≤ 0,3/cm2 Widerstand ≥ 1E9Ω·cm für Leistungs- und Mikrowellengeräte     Überblick SiC hat eine höhere Wärmeleitfähigkeit als GaAs oder Si, was bedeutet, dass SiC-Vorrichtungen theoretisch bei höheren Leistungsdichten arbeiten k... Mehr sehen
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China 4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm zu verkaufen

4 Zoll 4H-SiC-Substrat P-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μM MPD ≤ 0,5/Cm2 Widerstand 0,015 Ω·Cm – 0,025 Ω·Cm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:4inch SiC Substrate
4 Zoll 4H-SiC-Substrat D-Level N-Typ 350,0 ± 25,0 μm MPD ≤ 5/cm2 Widerstand 0,015 Ω·cm – 0,025 Ω·cm für Leistungs- und Mikrowellengeräte     Überblick Hochtemperaturgeräte Da SiC eine hohe Wärmeleitfähigkeit hat, leitet SiC Wärme schneller ab als andere Halbleitermaterialien.Dadurch können SiC-... Mehr sehen
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China 2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer zu verkaufen

2-Zoll-Leistungsgerät Hochelektronen-Mobilitäts-Transistor Epitaxial Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:sic epitaxial wafer 2 Inch, Power Device sic epitaxial wafer, High Electron Mobility Transistor Epitaxial Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Mehr sehen
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China 2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer für Power-Gerät zu verkaufen

2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer für Power-Gerät

Preis: Negotiable
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:GaN On Silicon HEMT Epi Wafer, 2 Inch Epi Wafer, Power Device Epi Wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Mehr sehen
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China AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si zu verkaufen

AlGaN-Schranke 4 Zoll GaN auf Silizium-HEMT Epi-Wafer Galliumnitrid GaN-on-Si

Preis: Negotiable
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Mehr sehen
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China 6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si zu verkaufen

6 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi Wafer Stromgerät Galliumnitrid GaN auf Si

Preis: Negotiable
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:6 Inch sic epitaxial wafer, 6 Inch sic epi wafer, 6 Inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Mehr sehen
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China GaN-violettes Laser auf Silizium 2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi-Wafer UV LD Epi-Wafer zu verkaufen

GaN-violettes Laser auf Silizium 2 Zoll GaN auf Silizium HEMT Epi-Wafer UV LD Epi-Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Mehr sehen
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China 2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium zu verkaufen

2 Zoll GaN auf Silizium Blau LD Epi Wafer GaN blauer Laser auf Silizium

Preis: Negotiable
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Mehr sehen
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China Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer zu verkaufen

Blaue LED GaN auf Silizium-Wafer Blaue Laser GaN Epitaxial-Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:Silicon Based Gallium Nitride Epitaxial Wafer, HEMT epitaxial wafer, 4 inch sic epitaxial wafer
Introduction to GaN on Silicon HEMT Epi wafer Silicon based gallium nitride HEMT epitaxial wafer is a high electron mobility transistor (HEMT) epitaxial wafer based on gallium nitride (GaN) material. Its structure mainly includes AlGaN barrier layer, GaN channel layer, AlN buffer layer, and silicon ... Mehr sehen
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China 2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium zu verkaufen

2 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi-Wafer Galliumnitrid auf Silizium

Preis: Negotiable
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:2 inch sic epitaxial wafer, 2 inch sic epi wafer, 2 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Mehr sehen
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China 4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer zu verkaufen

4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer

Preis: 1000
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Mehr sehen
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China 4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer zu verkaufen

4 Zoll GaN auf Silizium Grün LED Epi Wafer SiC epitaxial Wafer

Preis: 1000
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Mehr sehen
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China 4 Zoll uGaN auf Silizium undoped Galliumnitrid auf Silizium Epitaxial Wafer zu verkaufen

4 Zoll uGaN auf Silizium undoped Galliumnitrid auf Silizium Epitaxial Wafer

Preis: 1000
MOQ: 5
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:4 inch sic epitaxial wafer, 4 inch sic epi wafer, 4 inch sic epi wafers
Introduction to GaN on Silicon Green LED Epi wafer GaN on Silicon Green LED Epi wafer are semiconductor structures formed on silicon substrate materials through epitaxial growth technology for manufacturing green light-emitting diodes (LEDs). It is a key intermediate material in the manufacturing of... Mehr sehen
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China 150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial- Oblate keine Sekundärebene 3mm zu verkaufen

150.0mm +0mm/-0.2mm sic Epitaxial- Oblate keine Sekundärebene 3mm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:150.0 mm SiC Epitaxial Wafer, silicon carbide wafer 3mm, SiC Epitaxial Wafer No Secondary Flat
JDCD03-001-003 Overview SiC boules (crystals) are grown, machined into ingots, and then sliced into substrates, which are subsequently polished. A thin SiC epitaxial layer is then grown on top of this substrate to create an epi-wafer. Today, the semiconductor industry is expanding at a rapid rate, w... Mehr sehen
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China 47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic zu verkaufen

47,5 Millimeter ± Epitaxial- Oblate 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm paralleles to<11-20>±1° 1,5 Millimeter sic

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:446mm SiC Epitaxial Wafer, 4 H epitaxial silicon wafer, UKAS SiC Epitaxial Wafer
47.5 mm ± 1.5 mm SiC Epitaxial Wafer 150.0 mm +0mm/-0.2mm Parallel to±1° JDCD03-001-003 Overview Currently, there are two main types of SiC wafers. The first type is the polished wafer, which is a single silicon carbide disc. It is made of high-purity SiC crystals, and can be 100mm or 150mm in diame... Mehr sehen
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China 4H sic Epitaxial- Oblate ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm zu verkaufen

4H sic Epitaxial- Oblate ≤0.2 /cm2 0.015Ω•cm-0.025Ω•cm 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:4H SiC Epitaxial Wafer, silicon carbide wafer ISO9001, SiC Epitaxial Wafer 0.2 /Cm2
4H SiC Epitaxial Wafer ≤0.2 /Cm2 0.015Ω•Cm—0.025Ω•Cm 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-004 Overview The 200-mm wafers can be used for a variety of applications. These wafers are 50% thinner than the standard silicon wafer, so the 200-mm diameter can be used for more SiC devices. The 200-mm size is muc... Mehr sehen
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China 4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm zu verkaufen

4H sic Epitaxial- Oblate 0.015Ω•cm-0.025Ω•² 150,0 Millimeter +0mm/-0.2mm cm ≤4000/cm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:4H SiC Epitaxial Wafer, silicon epi wafer 0.025Ω•Cm, SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•Cm
4H SiC Epitaxial Wafer 0.015Ω•cm—0.025Ω•cm ≤4000/cm2 150.0 mm +0mm/-0.2mm JDCD03-001-003 Overview The next type is beta silicon carbide. Beta SiC is produced at temperatures higher than 1700 degrees Celsius. Alpha carbide is the most common, and has a hexagonal crystal structure similar to Wurtzite.... Mehr sehen
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China P-Level 2-Zoll-SiC-Substrat für Leistungsgeräte und Mikrowellengeräte zu verkaufen

P-Level 2-Zoll-SiC-Substrat für Leistungsgeräte und Mikrowellengeräte

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:P Level SiC Substrate, Microwave Devices silicon carbide substrate, 2 Inch SiC Substrate
P-Level 4H-N/SI260um±25um 2-Inch SiC Substrate For Power Devices And Microwave Devices JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview Key features Optimizes targeted performance and total cost of ownership for next generation power elec... Mehr sehen
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China 2-Zoll-SiC-Substrat 350 μm für anspruchsvolle Leistungselektronik zu verkaufen

2-Zoll-SiC-Substrat 350 μm für anspruchsvolle Leistungselektronik

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:2 Inch SiC Substrate, Demanding Power Electronics 2 inch wafer, SiC Substrate 350um
P-Level 2-Inch SiC Substrate 4H-N/SI260μm±25μm For Demanding Power Electronics JDCD03-001-001 2-inch SiC substrate P-level 4H-N/SI260μm±25μm for power devices and microwave devices Overview High crystal quality for demanding power electronics As transportation, energy and industrial markets evolve, ... Mehr sehen
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