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GaN Epitaxial Wafer

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China 4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer zu verkaufen

4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
4 Zoll Mg-dotiertes GaN vom P-Typ auf Saphirwafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxiewafer   Die elektrischen Eigenschaften von p-Typ Mg-dotiertem GaN werden durch temperaturvariable Hall-Effekt-Messungen untersucht.Proben mit einer Reihe von Mg-Dotierungskonzentrationen wurden durch ... Mehr sehen
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China F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte zu verkaufen

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Mehr sehen
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China 625um flachen dem Saphir zu des Zoll-675um 4 blauen LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP zu verkaufen

625um flachen dem Saphir zu des Zoll-675um 4 blauen LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Mehr sehen
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China 2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm zu verkaufen

2 Zoll grüne LED GaN auf Siliziumwafer Dimension 520±10nm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:2 Zoll GaN auf Siliziumwafer, Grüne LED GaN auf Siliziumwafer, 520nm GaN auf Siliziumwafer
2-Zoll-Grün-LED-GaN auf Siliziumwafer   Überblick Galliumnitrid (GaN) sorgt für einen innovativen Wandel in der Welt der Leistungselektronik.Seit Jahrzehnten sind MOSFETs auf Siliziumbasis (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren) ein fester Bestandteil des modernen Alltags, der dabei hilft,... Mehr sehen
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China 10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat zu verkaufen

10 X 10,5 mm2 C Oberfläche Nicht doppiert N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Nicht doppiertes GaN-Einkristallsubstrat, Freistehender GaN Single Crystal Substrate, N-Typ-GaN-Einkristall-Substrat
10*10.5mm ² C-Gesicht UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> Überblick Kristallsubstrate erstklassige Qualität GaN mit niedriger Versetzungsdichte (im Auftrag 105 /cm2) und Uniformoberfläche ohne periodische Defekte. Diese GaN-Kristal... Mehr sehen
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China 10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer zu verkaufen

10*10,5mm2 C-Gesicht Fe-Doped SI-Typ Freistehendes GaN Einzelkristall Substrat Makro Defekt Dichte 0cm−2 TTV ≤ 10 μm Widerstand 106 Ω·Cm HF-Geräte Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Einzelnes Kristallsubstrat GaN, 10*10, 5mm2 GaN Einkristall Substrat
C-Gesicht 10*10.5mm2 F.E.-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Gerätoblate Überblick Wir verkaufen direkt von der Fabrik und können die besten Preise auf dem Markt für Kristallsubstrate GaN der hohen Qualität deshalb anbieten. Kunden... Mehr sehen
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China 10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm zu verkaufen

10 X 10,5 mm2 frei stehende GaN-Substrate - 10 μm ≤ BOW ≤ 10 μm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Freie Stellung GaN Substrates, 10 X 10, 5 mm2 GaN-Substrate
10*10,5 mm² C-Fläche Undotiertes, freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom n-Typ Widerstand < 0,1 Ω·cm Leistungsgerät/Laser     Anwendungen Laserdioden: violette LD, blaue LD und grüne LDLeistungselektronische Geräte, Hochfrequenzelektronische Geräte   Mehr als 10 Jahre Erfahrung in der Wa... Mehr sehen
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China TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W zu verkaufen

TTV ≤ 10μm A-Gesicht, nicht doppelt, N-Typ, frei stehend, GaN-Einzelstaub-Substrat, Widerstand 0,1 Ω·cm Leistungseinrichtung/Laser W

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Laser W GaN Einzelkristall Substrat, Leistungseinrichtung GaN Einzelkristall Substrat, Frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat
Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> ÜberblickGalliumnitrid (GaN) ist ein sehr harter, mechanisch stabiler Halbleiter mit großer Bandlücke. Mit höherer Zusammenbruchstärke übertreffen schnellere Schaltverzögerung,... Mehr sehen
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China 350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm zu verkaufen

350 ± 25 μm Dicke Nicht-Doping-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit TTV ≤ 10 μm und Widerstand 0,1 Ω·cm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:10 μm GaN Einzelkristall Substrat, Einzelnes Kristallsubstrat GaN
5*10mm2 SP-Gesicht (20-21)/(20-2-1) UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> ÜberblickSubstrat des Gallium-Nitrids (GaN) ist ein hochwertiges Einzelkristallsubstrat. Es wird mit ursprünglicher HVPE-Methode und Verfahrenstechnik der Oblat... Mehr sehen
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China 5*10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat 0,1 Ω·cm Widerstand für Stromgerät zu verkaufen

5*10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat 0,1 Ω·cm Widerstand für Stromgerät

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:0.1 Ω·cm GaN Einzelkristall Substrat, 5*10mm2 GaN Einkristall Substrat
SP-Gesicht 5*10.5mm2 (10-11) UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> Generative gegnerische Netze (GANs) sind die algorithmische Architektur, die zwei neurale Netze benutzen und bilden ein gegen andere (folglich das „gegnerische ") Löche... Mehr sehen
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China 5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm zu verkaufen

5x10mm2 SP-Gesicht 10-11 Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Ein-Kristall-Substrat mit TTV ≤ 10μm Widerstand 0,05 Ω·cm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Freistehender GaN Single Crystal Substrate, 5x10mm2 GaN Einkristall Substrat
SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> ÜberblickGaN hat viele ernsten Vorteile über Silikon und mehr, ist leistungsfähiges, schnelleres anzutreiben, und Wiederaufnahmeeigenschaften sogar zu verbessern. Jedoch... Mehr sehen
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China Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht zu verkaufen

Makrofehlerdichte 0cm−2 Nicht-Doped-SI-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat für HF-Geräte 5*10mm2 M-Gesicht

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:HF-Geräte GaN Einzelkristall Substrat, 5*10mm2 GaN Einkristall Substrat, Frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat
M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Gerätoblate ÜberblickDünne Epi-Oblaten sind für Vorderkante MOS-Geräte allgemein verwendet. Starkes Epi oder vielschichtige Epitaxial- Oblaten werden für die Geräte hauptsächl... Mehr sehen
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China SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2 zu verkaufen

SP-Gesicht 11-12 Nicht-Doped-N-Typ-frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat Widerstandsfähigkeit 0,05 Ω·cm Makro-Fehlerdichte 0cm−2

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:00, 05 Ω·cm GaN Einzelkristall Substrat, Nicht doppiertes GaN-Einkristallsubstrat
5*10mm2SP-Fläche (11-12) Undotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom n-Typ Widerstand < 0,05 Ω·cm Leistungsbauelement/Laserwafer   ÜberblickDa GaN-Transistoren schneller einschalten können als Siliziumtransistoren, sind sie in der Lage, die durch diesen Übergang verursachten Verluste... Mehr sehen
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China Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm zu verkaufen

Leistungseinrichtung 5x10mm2 Nicht-Doped-N-Typ frei stehendes GaN-Einkristallsubstrat mit einer Resistivität von 0,1 Ω·cm und einer BOW innerhalb von 10 μm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:0.1 Ω·cm GaN Einzelkristall Substrat, 10 μm GaN Einzelkristall Substrat, 5x10mm2 GaN Einkristall Substrat
SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> ÜberblickSeit den neunziger Jahren ist es allgemein in den lichtemittierenden Dioden (LED) verwendet worden. Galliumnitrid gibt ein Blaulicht ab, das für Diskettelesung ... Mehr sehen
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China 5*10mm2 SP-Gesicht Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Widerstand 0,05 Ω·cm zu verkaufen

5*10mm2 SP-Gesicht Nicht-Doped N-Typ frei stehendes GaN-Einzelkristall Substrat 20-21 / 20-2-1 10mm2 Widerstand 0,05 Ω·cm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:00, 05 Ω·cm GaN Einzelkristall Substrat, 10 mm2 GaN Einzelkristall Substrat, 20-21 GaN Einkristall Substrat
5*10mm2 SP-Gesicht (20-21)/(20-2-1) UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> ÜberblickEin generatives gegnerisches Netz (GAN) hat zwei Teile: Der Generator lernt, plausible Daten zu erzeugen. Die erzeugten Fälle werden negative Ausbildun... Mehr sehen
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China Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch zu verkaufen

Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:20nm GaN On Silicon Wafer, 520±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Grün-GEFÜHRTES GaN auf Siliziumscheibe Überblick Galliumnitrid (GaN) schafft eine innovative Verschiebung während der Leistungselektronikwelt. Für Jahrzehnte sind Silikon-ansässige MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) ein wesentlicher Bestandteil der täglichen modern... Mehr sehen
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China 2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm zu verkaufen

2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:455±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Blau-GEFÜHRTES GaN auf Siliziumscheibe Gallium-Nitrid ist eine Halbleitertechnik, die für hohe Leistung, Hochfrequenzhalbleiteranwendungen eingesetzt wird. Gallium-Nitrid weist einige Eigenschaften auf, die es besser als GaAs und Silikon für verschiedene Komponenten der hohen Leistung... Mehr sehen
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China 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte zu verkaufen

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: Nanowin
Markieren:2inch GaN Single Crystal Substrate, Resistivity GaN Single Crystal Substrate
2 Zoll C-Fläche Fe-dotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom SI-Typ Widerstand > 106Ω·cm HF-Geräte   Überblick Galliumnitrid (GaN)-Epitaxialwafer (Epi-Wafer).GaN-Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) auf verschiedenen Substraten wie Siliziumsubstrat, Saphirsubstrat, Silizi... Mehr sehen
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China 4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer zu verkaufen

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:LED Laser GaN Epitaxial Wafer
4 Zoll P-artiges MG-lackiertes GaN auf Saphirwafer SSP resistivity~10Ω cm LED, Laser, Epitaxial- Wafer PIN Warum verwenden Sie GaN Wafers? Gallium-Nitrid auf Saphir ist das ideale Material für HF-Energien-Verstärkung. Es bietet einigen Nutzen über Silikon, einschließlich eine höhere Durchb... Mehr sehen
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China 4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer zu verkaufen

4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:PIN GaN On Sapphire Wafer, 4 Inch GaN On Sapphire Wafer
4 Zoll UID-dotiertes GaN vom N-Typ auf Saphirwafer SSP-Widerstand > 0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxiewafer   Beispielsweise ist GaN das Substrat, das violette (405 nm) Laserdioden ermöglicht, ohne Verwendung einer nichtlinearen optischen Frequenzverdopplung.Seine Empfindlichkeit gegenüber ionis... Mehr sehen
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