Teile aus Keramik
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SiC-Keramik-Träger-Platten-Waferhalter für den ICP-Etsch-Prozess bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung
Preis: undetermined
MOQ: 25
Lieferzeit: 2-4weeks
Marke: ZMSH
Markieren:ICP-Etsprozess Keramikfach, Keramisches Tray zur Epitaxial-Wachstumsverarbeitung, Keramische Platte zur Verarbeitung von Epitaxialwachstum
SiC-keramisches Tray/Platte/Waferhalter für das ICP-Etschverfahren, das bei der Epitaxial-Wachstumsverarbeitung verwendet wird
Zusammenfassung von SiC- (Siliziumkarbid-) Keramikfächern
SiC-Keramik ist ein hochleistungsfähiges Material, das in Industriezweigen weit verbreitet ist, in denen La... Mehr sehen
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Silikonkarbid-Träger SiC-Wafer-Trägerplatte für ICP-Ätzung MOCVD Susceptor Abnutzungsbeständig
Preis: Negotiable
MOQ: 5
Lieferzeit: 2-4 weeks
Marke: ZMSH
Markieren:ICP-Ätzer-Siliziumkarbid-Träger, MOCVD-Susceptor-Siliziumkarbid-Träger, Verschleißbeständige Silikonkarbid-Träger
Silikonkarbid-Träger SiC-Wafer-Trägerplatte für ICP-Ätzung MOCVD Susceptor Abnutzungsbeständig
Beschreibung
SIC-beschichtete Graphit-Träger werden aus hochreinen Graphit-Matrizen hergestellt und erhalten eine SiC-Beschichtung über CVD (Chemical Vapor Deposition) mit außergewöhnlich hoher Reinheit un... Mehr sehen
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Silikonkarbid Keramikfach mit CVD SiC Beschichtung Größe angepasst Hochtemperatur Sintern
Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 2-4weeks
Marke: ZMSH
Markieren:Silikon-Karbid-keramischer Behälter, CVD-SiC-beschichtete Keramikplatte, Hochtemperatursinterner Keramiktray
Siliziumkarbid-Keramikschachtel mit CVD-SiC-Beschichtung Größe anpassbar geeignet zum Sintern bei hoher Temperatur
Einführung des Keramik-Trays aus Siliziumkarbid
SiC-Ceramik-Träger aus Siliziumkarbid (SiC) mit CVD- (Chemical Vapor Deposition) SiC-Beschichtung sind spezielle Komponenten, die f... Mehr sehen
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Silikonkarbid-Keramik-Träger zur Unterstützung von Materialien Halbleiter-Wafer
Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 2-4weeks
Marke: ZMSH
Markieren:Keramikfach mit Halbleitersilikoncarbid, Materialien Siliziumkarbid-Keramik-Tablett
Siliziumkarbid-Keramik-Tablett verwendet, um Materialien Halbleiterwafer zu stützen.
Keramik-Träger aus Siliziumkarbid
Keramische Trays aus Siliziumcarbid (SiC) sind spezielle Komponenten, die zur Unterstützung von Halbleiterwafern während der Herstellung entworfen wurden.Diese Schalen können ag... Mehr sehen
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Das 6 Zoll-Silikon-Karbid beschichtete sic Graphit-Tray High Temperature Resistance Graphite-Platten
Preis: by case
MOQ: 5-10pcs
Lieferzeit: 1-3weeks
Marke: ZMKJ
Markieren:Sic überzogener Graphitbehälter, 6 Zoll-Graphitbehälter, Silikon-Karbid-überzogene Graphitplatten
6 Zoll Siliziumkarbid SiC beschichtet Graphit Tray hochtemperaturbeständige Graphitplatten
Silicon carbide coated epitaxial sheet tray used in epitaxial furnace equipment/Silicon Carbide Coated Graphite SiC/Excellent Bending Strength Anti Corrosion Graphite Tray / Wafer Tray/Graphite composite plate... Mehr sehen
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SiC-Keramik-Tray-Platte für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und benutzerdefinierte Größe
Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: Negotiable
Marke: ZMSH
Markieren:2 Zoll SiC-Keramik-Träger, SiC-Keramik-Trägerplatten in individueller Größe, 4 Zoll SiC-Keramikplatte
SiC-Keramikplatte, für 2 Zoll 4 Zoll 6 Zoll Waferverarbeitung und individuelle Größe
SiC-Keramik-Träger
SiC (Silicon Carbide) Keramikplatten sind spezielle Komponenten, die für Hochleistungsanwendungen, insbesondere in der Halbleiterindustrie, entwickelt wurden.Diese Trays spielen eine entsche... Mehr sehen
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Aluminiumkeramik / mechanischer Arm / Saugbecher / keramische Bauteile Al2O3
Preis: undetermined
MOQ: 25
Lieferzeit: 2-4weeks
Marke: ZMSH
Markieren:Mechanischer Arm aus Aluminiumkeramik, Saugbecher aus Aluminiumkeramik, Al2O3 Aluminiumkeramik
Aluminium-Keramik/mechanischer Arm/Saugbecher/keramische Bauteile Al2O3
Abstract
Aluminium-Oxid-Keramik (Al2O3), auch bekannt als Aluminiumoxid-Keramik, ist weithin bekannt für ihre hervorragenden physikalischen und chemischen Eigenschaften, einschließlich hoher Härte, Verschleißfestigkeit,Korro... Mehr sehen
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