Hoher Reinheitsgrad-Metalle
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Zink-Tellurid-Pulver-hoher Reinheitsgrad asphaltiert Ziel ZnTe 4N 5N CASs 1315-11-3 als Halbleiter-Material
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Chlorverbindung CAS des Tellur-TeCl4 10026-07-0 99,99% Reinheits-photoelektrische Materialien
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Schwarzes kristallenes festes Indium-Selenid In2Se3 CAS 12056-07-4 für die hellen/elektrischen Sensoren
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Wolfram-Diselenide-Pulver-hoher Reinheitsgrad asphaltiert CAS 12067-46-8 WSe2, das Dünnschichtsolarzellen macht
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Thermische Verdampfung GeTe-Germanium-Tellurid CASs 12025-39-7/UVbeschichtung
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CAS 12030-24-9 wichtige Halbleiter-Materialien des Indium-Sulfid-Pulver-In2S3
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Rhenium-Pulver-hoher Reinheitsgrad asphaltiert bezüglich des Metallzusatzes in der Temperatur-Legierung
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Indium-Fluorid-Pulver-hoher Reinheitsgrad asphaltiert InF3 CAS 7783-52-0 für Faser-/nicht Oxid-Gläser
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Hoher Reinheitsgrad CASs 12019-52-2 asphaltiert Dicopper-Tellurid-Pulver Cu2Te für pharmazeutisches
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Solarzelle/Infrarotoptik-hoher Reinheitsgrad asphaltiert Kadmium-Tellurid CdTe-Pulver CAS 1306-25-8
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Des Wismut-Bi2Te3 Schmelzpunkt Tellurid-des Pulver-CAS1304-82-1 586°C für Stromerzeugung
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Indium-Zinn-Oxid-hoher Reinheitsgrad asphaltiert ITO-Pulver In2O3/SnO2 für Touch Screens/Flachbildschirm-Fernsehen
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Hoher Reinheitsgrad-Metall-Tellurim-Pulver Te CAS 13494-80-9 für Solarzellen-Industrie
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Germanium-Pulver-hoher Reinheitsgrad asphaltiert CAS 7440-56-4 GE-Halbleiter-Material
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Tellur-Dioxid-Pulver-hoher Reinheitsgrad asphaltiert TeO2 CAS 7466-07-3 für Front - Seitenpasten
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Oxid-optisches Material CASs 1310-53-8 Germanium-GeO2 für Weitwinkelobjektive
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Oxid-Pulver CAS 1312-43-2 des Indium-In2O3 traf auf Schirm/Glas/Keramik zu
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Cas 7782 49 2 hoher Reinheitsgrad-Metallselen-Pulver-Se, Selen-Dioxid produzierend
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Pulver CASs 12024-21-4 des Gallium-Ga2O3 Schicht weißen kristallinen Pulvers der Solarzellen-Anwendung
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Hellgelbes Wismut-Oxid-Pulver Bi2O3 CAS 1304-76-3 für elektronisches keramisches
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