GaAs-Oblate

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China N - Schreiben Sie Galliumarsenid-Wafer GaAs einzelner Kristall-Substrate 2 - 6 Zoll zu verkaufen

N - Schreiben Sie Galliumarsenid-Wafer GaAs einzelner Kristall-Substrate 2 - 6 Zoll

Preis: by case
MOQ: 5pcs
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Marke: zmsh
Markieren:Indiumarsenmetalloblate, Substrat laalo3
Substrate 3inch GaAs, GaAs-Oblate für geführt, Galliumarsenid-Kristallscheiben, Si-/Zndopant GaAs-Oblate (A-Mittel der Elemente Gallium und Arsen. Es ist ein III-V direkter Bandlückehalbleiter mit einer Kristallstruktur der Zinkblende) --------------------------------------------------------... Mehr sehen
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China Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP zu verkaufen

Art GaAs-Substrate 6inch VGF Methoden-N 2 Grad weg von Oblaten 675um SSP

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MOQ: 10pcs
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Marke: zmsh
Markieren:VGF-Methoden-Galliumarsenid-Substrat, N-Art GaAs-Substrate, Oblate 2 Grad GaAs Epi
Methode 2inch 3inch 4inch 6inch VGF N-artige UNO-lackierte GaAs-Substrate 2degree weg von Oblaten 675um SSP DSP GaAs------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ GaAs-Oblate (Galliumarsenid) ist eine günstige Alternati... Mehr sehen
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China 4 Zoll-Galliumarsenid-Wafer, Gaas-Substrat für niedrige Temperatur-Legierungen zu verkaufen

4 Zoll-Galliumarsenid-Wafer, Gaas-Substrat für niedrige Temperatur-Legierungen

Preis: by case
MOQ: 5pcs
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Marke: zmsh
Markieren:Indiumarsenmetalloblate, Substrat laalo3
Substrate 4inch GaAs, GaAs-Oblate für geführt, Galliumarsenid-Kristallscheiben, Si-/Zndopant GaAs-Oblate (A-Mittel der Elemente Gallium und Arsen. Es ist ein III-V direkter Bandlückehalbleiter mit einer Kristallstruktur der Zinkblende) ------------------------------------------------------------... Mehr sehen
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China 3inch 76.2mm N-artiges S lackierte Galliumarsenid-Oblate für Mikroelektronik zu verkaufen

3inch 76.2mm N-artiges S lackierte Galliumarsenid-Oblate für Mikroelektronik

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Marke: zmsh
Markieren:MikroelektronikGalliumarsenidoblate, Oblate des Arsenmetalls 76.2mmgallium, Mikroelektronik gaas-Oblate
VFG-metod N-artiges 3inch, 4inch, Galliumarsenid-Oblaten 6inch dia150mm GaAs, die Art für Mikroelektronik Halb-isolieren, -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAs-) Galliumarsenid-Oblaten Galliumarsenid (GaAs) ist e... Mehr sehen
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China 3inch VGF GaAs Art GaAs-Substrate des Oblaten-Forschungs-Test-Grad-N zu verkaufen

3inch VGF GaAs Art GaAs-Substrate des Oblaten-Forschungs-Test-Grad-N

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Marke: zmsh
Markieren:Forschungs-Test-Grad-Galliumarsenid-Oblate, N-Art Galliumarsenid-Substrat, Wafer 3 Zoll GaAs Epi
Oblaten 3inch VGF GaAs erforschen Testgrad N-artige GaAs-Substrate 425um Methode 2inch 3inch 4inch 6inch VGF N-artige UNO-lackierte GaAs-Substrate 2degree weg von Oblaten 675um SSP DSP GaAs -----------------------------------------------------------------------------------------------------------... Mehr sehen
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China Doppelte Seite polierte Kristallsubstrat-Chips Semicondutor-Oblaten-1sp 2sp 10X10mm GGG zu verkaufen

Doppelte Seite polierte Kristallsubstrat-Chips Semicondutor-Oblaten-1sp 2sp 10X10mm GGG

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Marke: zmsh
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GGG-Substrate, 10X10mm kleine quadratische Zinkoxidoblate, 5x5mm GGG Substrate in den verschiedenen Orientierungen, Kristallsubstrat des Gadoliniumgalliumgranats GGG Gd3Ga5012 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Gadoliniu... Mehr sehen
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China 10X10mm kleines quadratisches Strontium-Titanat Substrat-Srtio3 für optisches Glasfenster zu verkaufen

10X10mm kleines quadratisches Strontium-Titanat Substrat-Srtio3 für optisches Glasfenster

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SrTiO3 Substrate, 10X10mm kleines quadratisches StrontiumtitanatSrTiO3 Substrat, Oblate 10x10 SrTiO3-------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Allgemeine Eigenschaften Strontiumtitanat (SrTiO3) ist eins von den weit verbreitetste... Mehr sehen
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China Halb- isolierende Art VGF-Methode Gaas-Oblaten-Durchmessers 150mm für Mikroelektronik zu verkaufen

Halb- isolierende Art VGF-Methode Gaas-Oblaten-Durchmessers 150mm für Mikroelektronik

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VFG-metod N-artiges 3inch, 4inch, Galliumarsenid-Oblaten 6inch dia150mm GaAs, die Art für Mikroelektronik Halb-isolieren, -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- GaAs-) Galliumarsenid-Oblaten Galliumarsenid (GaAs) i... Mehr sehen
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China Zno-Substrat, Galliumarsenid-Oblaten-Zink-Oxid-Kristall-Substrat zu verkaufen

Zno-Substrat, Galliumarsenid-Oblaten-Zink-Oxid-Kristall-Substrat

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MOQ: 10pcs
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ZnO-Substrate, 10X10mm kleine quadratische Zinkoxidoblate, 5x5mm ZnO Substrate in den verschiedenen Orientierungen, einzelner Kristall ZnO -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Zink-Oxid (ZnO) kann als Halbleiter des einzel... Mehr sehen
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China GGG-Substrat, Kristall-Substrat des Gadolinium-Gallium-Granats-GGG Gd3Ga5012 zu verkaufen

GGG-Substrat, Kristall-Substrat des Gadolinium-Gallium-Granats-GGG Gd3Ga5012

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GGG-Substrate, 10X10mm kleine quadratische Zinkoxidoblate, 5x5mm GGG Substrate in den verschiedenen Orientierungen, Kristallsubstrat des Gadoliniumgalliumgranats GGG Gd3Ga5012 -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Gadoliniu... Mehr sehen
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China Laalo3 Substrat, Galliumarsenid-Oblaten-Lanthan-Aluminats-Kristall-Substrat zu verkaufen

Laalo3 Substrat, Galliumarsenid-Oblaten-Lanthan-Aluminats-Kristall-Substrat

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Markieren:gaas-Oblate, Indiumarsenmetalloblate
LaAlO3 Substrate, 10X10mm einzelne Kristalle des kleinen quadratischen Substrates des Lanthanaluminats LaAlO3crystal -------------------------------------------------------------------------------------------------------------- Anwendung: Ist einzelner Kristall LaAlO3 das wichtigste Materi... Mehr sehen
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China Indium-Arsenmetall-Wafer InAs der Stärke-500um Zoll Durchmesser 50.8mm Kristallscheiben-2 zu verkaufen

Indium-Arsenmetall-Wafer InAs der Stärke-500um Zoll Durchmesser 50.8mm Kristallscheiben-2

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2inch InAs-Substrate Stärke 500um des Durchmessers 50.8mm, Kristallscheibe Indiumarsenmetall InAs, N-artige Oblate 3inch 0.6mm InAs, 10x10mm quadratische InAs Oblaten ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ ... Mehr sehen
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China Durchmesser 50.8mm 2 Zoll-Galliumarsenid-Wafer für Halbleiter-Substrat zu verkaufen

Durchmesser 50.8mm 2 Zoll-Galliumarsenid-Wafer für Halbleiter-Substrat

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Substrate 2inch GaAs, GaAs-Oblate für geführt, Galliumarsenid-Kristallscheiben, Si-/Zndopant GaAs-Oblate (a-Mittel der Elemente Gallium und Arsen. Es ist ein III-V direkter Bandlückehalbleiter mit einer Kristallstruktur der Zinkblende) --------------------------------------------------------------... Mehr sehen
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China GaAs-Laser-Epitaxialwafer Gallium-Arsenid-Wafer VCSEL/PD-Expitaxialwafer für intelligente Sensorik zu verkaufen

GaAs-Laser-Epitaxialwafer Gallium-Arsenid-Wafer VCSEL/PD-Expitaxialwafer für intelligente Sensorik

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: Negotiable
Marke: ZMSH
Markieren:Einheit für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte für die Berechnung der Werte, Intelligente Epitaxialwafer mit Sensoren, VCSEL/PD Expitaxial Wafer
2 Zoll Galliumarsenid Wafer GaAs Epitaxial Wafer für LD Laser Diode, Halbleiter epitaxial Wafer, 3 Zoll GaAs Wafer, GaAs Single Crystal Wafer 2 Zoll 3 Zoll 4 Zoll GaAs Substrate für LD Anwendung,mit einer Breite von mehr als 20 mm,, Gallium-Arsenid-Laser-Epitaxial-Wafer Eigenschaften der GaAs-Las... Mehr sehen
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China

"2" S Doped GaP Halbleiter EPI Wafer N Typ P Typ 250um 300um Leuchtdioden

Preis: Negotiation
MOQ: 25pcs
Lieferzeit: In 30 days
Marke: ZMSH
Markieren:S Doppierte EPI-Wafer, Halbleiterwaffen 300um, GaP Halbleiter-EPI-Wafer
2 S Doped GaP Halbleiter EPI Wafer N Typ P Typ 250um 300um Leuchtdioden Beschreibung: Galliumphosphid (GaP) ist eine Verbindung der Gruppe III-V. Das Aussehen ist orange-rot transparenter Kristall.grüne und orangefarbene Leuchtdioden mit geringer bis mittlerer HelligkeitDie Lebensdauer ist bei... Mehr sehen
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China Transparente orangefarbene GaP-Wafer ohne Doppelung P-Typ N-Typ 200um 350um 5G Licht emittierend zu verkaufen

Transparente orangefarbene GaP-Wafer ohne Doppelung P-Typ N-Typ 200um 350um 5G Licht emittierend

Preis: Negotiation
MOQ: 25pcs
Lieferzeit: In 30 days
Marke: ZMSH
Markieren:N-Typ-GaP-Wafer, Nicht doppierte GaP-Wafer, Durchsichtige Galliumphosphatwafern
Transparente orangefarbene GaP-Wafer ohne Doppelung P-Typ N-Typ 200um 350um 5G Licht emittierend Beschreibung: Galliumphosphat GaP, ein wichtiger Halbleiter mit einzigartigen elektrischen Eigenschaften wie andere III-V-Verbindungsmaterialien, kristallisiert in der thermodynamisch stabilen kubische... Mehr sehen
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China GaP Halbisolierte Wafer P Typ N Typ 400um 500um Grüne LED Rot Grüne Lichtemission zu verkaufen

GaP Halbisolierte Wafer P Typ N Typ 400um 500um Grüne LED Rot Grüne Lichtemission

Preis: Negotiation
MOQ: 25pcs
Lieferzeit: In 30 days
Marke: ZMSH
Markieren:GaP-Waffeln 2", Halbisolierte GaP-Wafer, P-Typ Galliumphosphatwafern
GaP Halbisolierte Wafer P Typ N Typ 400um 500um Grüne LED Rot Grüne Lichtemission Beschreibung: Galliumphosphid ist ein häufig verwendetes Halbleitermaterial mit hoher Leitfähigkeit und hoher photoelektrischer Umwandlungseffizienz.Galliumphosphid kann bei der Herstellung von Solarzellen verwendet ... Mehr sehen
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China einzelne Crystal Gallium Arsenide Substrates Semiconductor N Art 2inch zu verkaufen

einzelne Crystal Gallium Arsenide Substrates Semiconductor N Art 2inch

Preis: by case
MOQ: 10pcs
Lieferzeit: 1-4weeks
Marke: zmsh
Markieren:Substrate 2inch GaAs, Einzelner Crystal Gallium Arsenide Substrates, Art GaAs-Oblate des Halbleiter-N
Substrat-einzelne Crystal Gallium Arsenide Substrates Semi-Conductings N 2inch GaAs Art ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ GaAs-Oblate Galliumarsenid (GaAs) ist ein ausgezeichnetes Halbleitermaterial. Es ... Mehr sehen
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China der Wachstums-Methode P 6Inch VGF Art GaAs-Oblaten GaAs-Substrate zu verkaufen

der Wachstums-Methode P 6Inch VGF Art GaAs-Oblaten GaAs-Substrate

Preis: by case
MOQ: 10pcs
Lieferzeit: 1-4weeks
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Markieren:P-Art Galliumarsenid-Oblate, Oblaten 6inch GaAs, Halbleiter GaAs-Oblaten
6inch VGF Art GaAs-Oblaten GaAs-Substrate der Wachstums-Methoden-P ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ GaAs-Oblate GaAs-Oblaten GaAs-Substrat-Oblaten GaAS-Substratoblaten GaAS ist ein Halbleitermaterial m... Mehr sehen
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China 10x10mm Galliumoxidsubstrat-Monoklinestruktur zu verkaufen

10x10mm Galliumoxidsubstrat-Monoklinestruktur

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MOQ: 10pcs
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Marke: zmsh
Markieren:P-Art GaAs-Oblaten, N-Art GaAs-Oblaten, Galliumarsenid-Oblate 2inch
10x10mm Galliumoxidsubstrat-Monoklinestruktur ------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------ Der Dauerzustandgallium-Oxidkristall hat eine monoclinal Struktur mit zwei Spaltungsflächen (100) und (001). Insoweit der Wa... Mehr sehen
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