Halbleiter-Ausrüstung

Laser-Holographische Markierungsanlage gegen Fälschungen mit 2500 W-Ausgangsleistung

6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll LPCVD Oxidationsofen für die einheitliche Dünnschichtdeposition von Polysilicium und Siliziumoxid

Wafer-Bindungsausrüstung Raumtemperatur Bindung in Hydrophiler Bindung Si-SiC Si-Si Bindung 2 -12 Zoll

Thermo-Komprimierungs-Anodiebindungsanlage Wärmedruckbindung Si Cu Al-Ge Material 600 °C 2-8 Zoll

Waferverdünnungssystem Präzisionsverdünnungsgeräte SiC Si Wafer kompatibel 4 -12 Zoll Waferkapazität

Automatischer Halbleiter-Schnellglühen-Ofen mit doppelter Hohlräume, kompatibel mit Wafer-Wärmebehandlungsanlagen mit einer Größe von 200-1300°C

Sic Widerstand Wachstum Kristallöfen Hochtemperatur Heizung Ingot 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll

Sic Rohstoff-Synthese-Ofen 50 kg Widerstand Vorbereitung von hochreinem Sic-Kristall

Siq Wachstumsöfen PVT-Methode 6 Zoll 8 Zoll 12 Zoll niedriger Energieverbrauch

Monokristalline Silizium-Doppelstation-Quadratmaschine 6/8/12 Zoll Burr ≤0,5 mm hohe Präzision ±0,05 mm

Bionische Schieberegler mit hoher Reibung mit geringer Haftung

Mikrofluidische Laserausrüstung für die Verarbeitung von Halbleiterwafern

Ausrüstung für die Mikrojet-Lasertechnologie

Mikrojet-Laser-Ausrüstung Hochenergie-Puls-Laser-Chip-Mikrohöhle und TSV-Verarbeitung LASER-Mikrojet LMJ

Galliumarsenid-Optikfasertemperatursensor Kleine Sondengröße 0,5 mm Temperaturmessgenauigkeit ±0,1°C

GaAs Glasfasertemperatursensor GaAs Pakettemperatursensor Quarzglasfaserleitung

Halbautomatische Klebmaschine bei Raumtemperatur 2/4/6/8/12 Zoll Kompatibles Material Saphir Si SiC InP GaAs GaN LT/LN Diamantglas

Saphir- und Kristallisierungsöfen Kyropoulos Schaumprozess Wachstum Saphirkristall 200 kg 400 kg

Sic Diamantdrahtschneidemaschine Präzisionsführung Sic Kristallstange Schneiden

VIS-NIR-Kamera CCD Kontur-IR Kontur-M Digitalkamera 400-1700nm Mehrspektralkamera