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China standard transistor mos igbt

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China Transistor zweipoliges IGBT, TO-220 N Transistor IRG4IBC30S 1.7V Kanal-IGBT zu verkaufen

Transistor zweipoliges IGBT, TO-220 N Transistor IRG4IBC30S 1.7V Kanal-IGBT

Zugeschaltetes IGBT-Transistor-Modul Vielzweckisolierschichtbipolar transistor Transistor-Modul des Silikon-IGBT

Preis: Negotiable

MOQ: 1

Lieferzeit: Negotiable

Marke: Infineon

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.
ISO14001,ISO13485 Jahr gegründet:2008 Manufacturer
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China 2SB772-AZ-JM PNP Silikon Plastik-kapseln Transistor MOS-Feld-Effekt-Transistor ein zu verkaufen

2SB772-AZ-JM PNP Silikon Plastik-kapseln Transistor MOS-Feld-Effekt-Transistor ein

Silikonleistungstransistoren multi Emittertransistor Energie mosfet IC

Preis: negotiation

MOQ: 50pcs

Lieferzeit: 1 day

Marke: MCC

Anterwell Technology Ltd.
CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Jahr gegründet:2004 Verteiler/Wholesaler
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China Automobil 120A bricht Graben-Feld-Halt AFGY120T65SPD einzelnen IGBTs Transistor-650V IGBT ab zu verkaufen

Automobil 120A bricht Graben-Feld-Halt AFGY120T65SPD einzelnen IGBTs Transistor-650V IGBT ab

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung TUSB1002ARGER Zweikanallineares Integrierte Chips QFN24

Preis: Contact for Sample

MOQ: 10

Lieferzeit: 5-8 work days

Marke: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Verteiler/Großhändler
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China ADC081C027CIMK/NOPB SOT23-6 mit hochwertigem Chip Transistor MOS Neuer Preis zu verkaufen

ADC081C027CIMK/NOPB SOT23-6 mit hochwertigem Chip Transistor MOS Neuer Preis

Bipolar Transistor ROHM UTC ICS Transistor ROHM UTC ICS zweipolig ROHM UTC ICS SOT-89-3

Preis: $0.12/pieces 10-99 pieces

MOQ: 10 pieces

Lieferzeit: Negotiable

Marke: original

ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Authority certificate,ISO Jahr gegründet:2015 Manufacturer
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China Verstärker SAK-TC1797-512F1 IC-Chip TC1797-512F180EF Transistor MOS Diode Wechselstroms NPN zu verkaufen

Verstärker SAK-TC1797-512F1 IC-Chip TC1797-512F180EF Transistor MOS Diode Wechselstroms NPN

Mikroregler bricht SMT-Montage ab Verstärker STM32F407IGT6 IC-Chip Ursprüngliches IC SAF-XE167FH-200F100L

Preis: $2-$8

MOQ: 1PCS

Lieferzeit: 1-3 WORKING DAYS

Marke: INFINEON

DINGCEN INTERNATIONAL (HK) LIMITED
Jahr gegründet:2018 Verteiler/Wholesaler
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China MOS-Rohrs Leistungstransistor CER FET 700V CoolMOS vorübergehende Unterdrückungstriode zu verkaufen

MOS-Rohrs Leistungstransistor CER FET 700V CoolMOS vorübergehende Unterdrückungstriode

Ccc-Knopf-Leistungsschalter Leistungsschalter des Knopf-30A Gerät des Überlastschutz-50VDC

Preis: Negotiable

MOQ: 100 / Negotiable

Lieferzeit: 7~10 Working days

Marke: Julun

JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)
Business license,UL Jahr gegründet:2009 Hersteller
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China Multifunktionaler Leistungstransistor und IGBT Hochspannung 1200V 40A zu verkaufen

Multifunktionaler Leistungstransistor und IGBT Hochspannung 1200V 40A

Industrielle Hochleistungs-IGBT IGBT Hochfrequenzstabil Aufladestelle Ultra-Schnelle IGBT

Preis: Confirm price based on product

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: 2-30 days (Depends on Total Quantity)

Marke: REASUNOS

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
REACH of Package-1,ISO9001 Jahr gegründet:2007 Manufacturer
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China 50Hz/60Hz±5% Eingangsfrequenz-Standard-VFD mit IGBT-Modul-Wärmeschutz-Design und eingebauter Gleichstromreaktor zu verkaufen

50Hz/60Hz±5% Eingangsfrequenz-Standard-VFD mit IGBT-Modul-Wärmeschutz-Design und eingebauter Gleichstromreaktor

Frequenzumrichter 1 5 kW Frequenzumrichter mit einer Leistung von 30 kW

Preis: Negotiable

MOQ: 1

Lieferzeit: 10-30working days

Marke: COENG

SHENZHEN COENG TECH CO., LTD.
Jahr gegründet:2017
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China Fahrer SCALETM-2 IGBT DUA-Kanal-IGBT und Transistor des MOSFET-Fahrer-Kern-IGBT zu verkaufen

Fahrer SCALETM-2 IGBT DUA-Kanal-IGBT und Transistor des MOSFET-Fahrer-Kern-IGBT

igbt Modul-Fahrerstromkreis Energie-Management-Module igbt Tor-Fahrerstromkreis

Preis: Negotiation

MOQ: 24PCS

Lieferzeit: 1WEEK

Marke: Power Integrations

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Jahr gegründet:1998 Manufacturer
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China MOS Audiomosfet-Transistor/Hochfrequenztransistor-Verstärker zu verkaufen

MOS Audiomosfet-Transistor/Hochfrequenztransistor-Verstärker

Transistor der hohen Leistung mosfet-Leistungstransistor p-Kanaltransistor

Preis: Negotiated

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: 1 - 2 Weeks

Marke: JC

Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.
Jahr gegründet:2000 Händler/Großhändler
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China N Channel Mos Field Effect Transistor , High Power Transistor -30V/-80A zu verkaufen

N Channel Mos Field Effect Transistor , High Power Transistor -30V/-80A

hoher gegenwärtiger mosfet-Schalter n-Kanal mosfet-Transistor

Preis: Negotiated

MOQ: Negotiation

Lieferzeit: 1 - 2 Weeks

Marke: Hua Xuan Yang

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD
Jahr gegründet:2009 Hersteller
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China Ultraschneller Kanal IGBT-Transistor-N, Isolierschichtbipolar transistor mit errichtet in der Diode zu verkaufen

Ultraschneller Kanal IGBT-Transistor-N, Isolierschichtbipolar transistor mit errichtet in der Diode

Isolierschichtbipolar transistor Hochgeschwindigkeitsschaltdiode npn Silikonfototransistor

Preis: Negotiate

MOQ: 10pcs

Lieferzeit: 1-3Days

Marke: ON/Fairchild

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Certificate of ATFU Brand,Business License Jahr gegründet:2012 Verteiler/Wholesaler
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China TO-247 90A 600V IGBT Transistor/Energie-Isolierschichtbipolar transistor zu verkaufen

TO-247 90A 600V IGBT Transistor/Energie-Isolierschichtbipolar transistor

n-Kanal mosfet-Transistor Hochspannungsmosfet-Transistor smd mosfet-Transistor

Preis: negotiable

MOQ: 5PCS

Lieferzeit: 1-2 working days

Marke: IR/Thinkchip

G-Resource Electronics Co.,Ltd
iso9001,iso14001 Jahr gegründet:2009 Hersteller
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China Industrielles Transistor-Modul Eupec-hoher Leistung IGBT des Modul-FS150R12KE3 IGBT zu verkaufen

Industrielles Transistor-Modul Eupec-hoher Leistung IGBT des Modul-FS150R12KE3 IGBT

intelligente Power-Modul Hochfrequenz-igbt Fuji-igbt Module

Preis: Negotiable

MOQ: 1pcs

Lieferzeit: 0-2 days

Marke: Eupec

Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.
Jahr gegründet:2014 Verteiler/Wholesaler
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China Dreiphasen-Faktor Muttahida Majlis-e-Amal 250A des IGBT-Schweißgerät-0,93 Schweißer MOS zu verkaufen

Dreiphasen-Faktor Muttahida Majlis-e-Amal 250A des IGBT-Schweißgerät-0,93 Schweißer MOS

Wasserdichter Stock TIG-Muttahida Majlis-e-Amal Schweißer MOS Welding Machine Inverter gasbetriebener Schweißer des Stock-400A

Preis: Negotiable

MOQ: 100 Pieces

Lieferzeit: 30 DAYS

Marke: GOWELLDE

Shenzhen General Welder Technology Co., Ltd.
ROHS,ROHS Jahr gegründet:2015 Hersteller
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China Al2O3-Substrat-keramische PCB für IGBT und MOS mit hoher Leistung zu verkaufen

Al2O3-Substrat-keramische PCB für IGBT und MOS mit hoher Leistung

Keramische Substrat-PCB Keramik-Druckschaltplatten keramisches mehrschichtiges PWB

Preis: Negotiable

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: Negotiable

LT CIRCUIT CO.,LTD.
Jahr gegründet:2004 Hersteller
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China Multifunktionaler Halbleiter aus Siliziumkarbid, Hochleistungstransistor SiC MOS zu verkaufen

Multifunktionaler Halbleiter aus Siliziumkarbid, Hochleistungstransistor SiC MOS

Sic Mosfets Sic Power Mosfet Siliziumkarbid-Power-Mosfet

Preis: Confirm price based on part number

MOQ: Confirm quantity based on part number

Lieferzeit: comfirm

Marke: Lingxun

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Jahr gegründet:2012 Hersteller
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China Transistor-Prüfvorrichtungs-Vielfachmessgerät MOS/PNP/NPN TC1 für Dioden-Triode zu verkaufen

Transistor-Prüfvorrichtungs-Vielfachmessgerät MOS/PNP/NPN TC1 für Dioden-Triode

Fernsehhintergrundbeleuchtungs-Prüfvorrichtung Chip des Motherboard-IC Digital-Kapazitanz-Meter

Preis: negotiable

MOQ: 10pcs

Lieferzeit: 5-8 work days

Marke: creatall

Shenzhen Creatall Electronics Co., Ltd.
CE,CE Jahr gegründet:2004 Manufacturer
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China Induktions-Goldschmelzofen MOS Transistors 15KW 2KG zu verkaufen

Induktions-Goldschmelzofen MOS Transistors 15KW 2KG

1.5kw Mini Gold Melting Furnace Tragbarer Mini Gold Melting Furnace Schmuck Mini Electric Melting Furnace

MOQ: 1 pc

Lieferzeit: Within 5 days

Marke: IRIS

Henan IRIS Electromechanical Equipment Co., Ltd.
CE Jahr gegründet:2015 Manufacturer
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China Al2O3-Substrat-keramische PCB für IGBT und MOS mit hoher Leistung zu verkaufen

Al2O3-Substrat-keramische PCB für IGBT und MOS mit hoher Leistung

Preis: Negotiable

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: Negotiable

LT CIRCUIT CO.,LTD.
Jahr gegründet:2004 Hersteller
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